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【学术报告】半导体点缺陷性质的第一性原理计算
发布时间:2023-10-19   浏览次数:0

主 讲 人 :康俊    研究员

活动时间:10月19日15时30分    

地  点:理科群2号楼A302

讲座内容:

半导体点缺陷性质的第一性原理计算


主讲人介绍:

康俊,北京计算科学研究中心特聘研究员。2009年本科毕业于厦门大学,2014年博士毕业于中国科学院半导体研究所,2014-2019年先后在比利时安特卫普大学和美国劳伦斯伯克利国家实验室从事博士后研究。2019年入选国家级青年人才计划项目,并加入北京计算科学研究中心工作。主要从事新型低维半导体材料和器件的计算模拟和理论设计研究,包括能带调控机制、缺陷和杂质、输运特性和激发态等。目前在Nat.Mater.、Nat.Comput. Sci.、Nat.Nanotechnol.、Nat.Commun.、Appl.Phys. Rev.、Nano Lett.、Phys. Rev.系列等期刊发表论文80余篇,引用9000余次,入选爱思唯尔中国高被引学者。曾获2017年度国家自然科学二等奖(第三完成人)。